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PTC热(rè)敏電(diàn)阻是(shì)20世紀80年(nián)代(dài)初發(fà)展(zhǎn)起(qǐ)来(lái)的(de)一(yī)种新(xīn)型材料電(diàn)阻器,它(tā)的(de)特(tè)點(diǎn)是(shì)存在(zài)一(yī)个(gè)“突變(biàn)點(diǎn)温(wēn)度(dù)”,當这(zhè)种材料的(de)温(wēn)度(dù)超过(guò)突變(biàn)點(diǎn)温(wēn)度(dù)时(shí),其(qí)阻值可(kě)急劇增加5-6个(gè)數量(liàng)級,(例如(rú)由(yóu)101Ω急增到(dào)107Ω以(yǐ)上(shàng)),因(yīn)而(ér)具有(yǒu)极其(qí)广泛的(de)應(yìng)用(yòng)价值。
源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家(jiā)專業研發(fà)、生(shēng)产热(rè)敏電(diàn)阻的(de)高(gāo)科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主(zhǔ)營壓敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家(jiā)直銷!
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由(yóu)于(yú)采用(yòng)了(le)貼片式設計(jì),片式PTC可(kě)以(yǐ)通(tòng)过(guò)SMT工藝安(ān)裝(zhuāng)于(yú)HIC和(hé)DC/DC轉(zhuǎn)換器等電(diàn)路(lù)中(zhōng)起(qǐ)到(dào)过(guò)热(rè)保護的(de)作(zuò)用(yòng)。在(zài)HIC中(zhōng),功率放(fàng)大(dà)器的(de)輸出(chū)晶體(tǐ)管(guǎn)p-n結的(de)温(wēn)度(dù)如(rú)果超过(guò)150℃,就(jiù)会(huì)被(bèi)擊穿。利用(yòng)PTC热(rè)敏電(diàn)阻在(zài)特(tè)定(dìng)温(wēn)度(dù)點(diǎn)阻值急劇上(shàng)升(shēng)的(de)特(tè)性(xìng),只(zhī)要(yào)設計(jì)一(yī)个(gè)简单的(de)電(diàn)路(lù),就(jiù)可(kě)以(yǐ)起(qǐ)到(dào)热(rè)保護作(zuò)用(yòng)。在(zài)DC/DC轉(zhuǎn)換器中(zhōng),組裝(zhuāng)密集、高(gāo)頻高(gāo)速運行的(de)電(diàn)路(lù)常因(yīn)不(bù)能(néng)有(yǒu)效制冷(lěng)而(ér)損壞,场(chǎng)效應(yìng)管(guǎn)(FET)的(de)热(rè)擊穿也(yě)是(shì)笔(bǐ)記(jì)本(běn)電(diàn)腦面(miàn)对(duì)的(de)問(wèn)題(tí)之(zhī)一(yī)。使用(yòng)PTC热(rè)敏電(diàn)阻可(kě)以(yǐ)有(yǒu)效地(dì)阻止FET發(fà)热(rè),对(duì)整个(gè)器件(jiàn)起(qǐ)到(dào)保護作(zuò)用(yòng)。

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